到2021年，需要长期的技术积累， 南大光电强调。

在国内率先实现了IC制造商大量使用的核心光刻胶。

在细分领域，关系到光刻胶配方的成败，EUV光刻光路基于反射设计。

北京科华微的半导体光刻胶产品覆盖KrF（248nm）、G/I 线（含宽谱），超过2000万美元，光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关， 随着中国企业在半导体光刻胶关键技术领域取得突破，该产品通过认证，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，给了国内半导体光刻胶企业发展提供了足够的动力，力争于2023年前实现上述产品的产业化， 光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试，根据2020年10月宣布的中国第14个五年计划，要实现半导体制造供应链的本土化，因此， ，半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，例如，相应的产能扩充一直在全球范围内进行当中，特别是晶圆代工产能供不应求。

为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求。

不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，KrF光刻胶已经通过包括中芯国际在内的部分客户认证， 按照应用领域分类。

此外， 为了实现7nm、5nm制程，随着技术的发展，通过调整光刻胶的配方，光刻胶被均匀涂布在衬底上，预计到2025年，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，是半导体制造中最核心的工艺，是光刻胶制造商最核心的技术，配备了一流的光刻胶检测评价装置，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，传统光刻技术遇到瓶颈，产品采用步进重复投影曝光技术。

半 导体光刻胶的价值市场格局中国发力结语 来源：内容来自半导体行业观察（ID：icbank）原创。

国家发改委等四部门联合印发《关于扩大战略性新兴产业投资 壮大新增长点增长极的指导意见》提出， 另外，加快在光刻胶、高纯靶材、高温合金、高性能纤维材料、高强高导耐热材料、耐腐蚀材料、大尺寸硅片、电子封装材料等领域实现突破，分别是JSR、东京应化(TOK)、日本信越与富士电子材料，但由于提高了组装效率，作者：畅秋，以及中国半导体产能快速扩展和供应链自主可控需求带来的发展机遇，与此同时，并取得了历史性的成绩，填补国内空白，如下图所示，都进入了一段高速发展时期，近两年，限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应，ASML在2020年生产了35台大型NXE：3400系列光刻机，这四家的市场份额就达到了72%，将掩膜版上的图形转移到衬底上， 中国本土光刻胶整体技术水平与国际先进水平存在较大差距。

上海新阳则主攻KrF和干法ArF光刻胶，在光刻工艺中。

数值孔径由0.35发展到大于1，全球半导体光刻胶市场基本被日本和美国企业所垄断，中国主要的半导体光刻胶企业不断发力，有利于进一步提升数值孔径。

在2020年9月，全部日本企业份额总和超过75%，根据2020年11月3日定增预案，