有道是“三十年河东，三十年河西，莫欺少年穷”，过去中国在多个领域的核心技术被西方“卡脖子”，但现在经过多年的不懈努力已经在不少领域攻坚克难了，像我们熟知的光刻机就是一个很典型的例子。大家都知道光刻机是制造集成电路的核心装备，换言之，每一个芯片在诞生之初都要经过光刻机的锻造，所以光刻机的精度直接决定了芯片性能的上限。

不过，由于高精度光刻机被荷兰ASML公司垄断了，而该公司又一度对中国禁售这种光刻机，这也导致我国的芯片发展一直十分缓慢。为此，我国科研人员决定对这种“卡脖子”装备发起挑战，经过长期的攻坚克难最终有所收获，在近日传出另辟蹊径造出9纳米光刻试验样机的消息。p/p

要知道，在去年11月份通过验收的“超分辨光刻装备研制”，其分辨率也才10纳米，如今我们竟然达到了9纳米的水平，相信未来距离7纳米以下的技术节点会越来越近，到时候别人再想卡我们脖子难了。

而且值得一提的是，这次我国科研人员造出的9纳米光刻试验样机，是在没有任何可借鉴技术情况下另辟蹊径而成的，其光刻技术和目前主流的光刻机有所不同。p/p

像目前主流的光刻机是通过不断降低光刻波长作用于光刻胶，但我们这个是两束激光同时作用于光刻胶上，采用远场光学的方法突破光束衍射极限的限制，从而光刻出最小9纳米线宽的线段。所以，不管从哪个角度来说都是一次意义重大的创新，同时也表明了我们在高难度技术面前，不畏艰难、奋力攀登科学技术“高山”的精神，这是值得我们每一个人学习的！